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mocvd-mocvd设备工作原理

xinfeng335 -60秒前 67
mocvd-mocvd设备工作原理摘要: 本文目录一览:1、有机金属外延简介2、...

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有机金属外延简介

1、Veeco在GaN LED市场的竞争上压力倍增。中微在腔室设计等方面和Veeco相似,但售价却更便宜。

2、有机金属化合物可用通式R—M表示,式中R代表烃基,M代表金属原子。

3、有机金属就是烷基(包括甲基、乙基、丙基、丁基等)和芳香基(苯基等)的烃基与金属原子结合形成的化合物,以及碳元素与金属原子直接结合的物质的总称。

4、一般有机金属化合物有脂溶性,比无机金属容易通过生物膜,经肠壁吸收,进入脑血管、胎盘的量也较多;因此有更强的生物毒性。烷基金属化合物容易引起中枢神经的障碍。

5、由金属原子与碳原子直接相连成键而形成的有机化合物称为有机金属化合物,即含有M-C键的化合物。如甲基钾(CH3K)、丁基锂(C4H9Li)等。

什么是cvd法?对于mocvd,它的优点和缺点是什么

1、CVD是Chemical Vapor Deposition的简称,是指高温下的气相反应。

2、CVD代表化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition),是一种常用的薄膜制备工艺。在CVD过程中,通过在适当的气氛中将反应气体转化为化学反应产物,使其沉积在基底表面形成薄膜。

3、CVD技术是化学气相沉积Chemical Vapor Deposition的缩写。化学气相沉积乃是通过化学反应的方式,利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。

mocvd-mocvd设备工作原理

mocvd设备工作原理

1、原理~~~MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

2、通常MOCVD系统中的晶体生长是在常压或低压(10-100Torr)下,在带有H2的冷壁应时(不锈钢)反应室中进行,衬底温度为500-1200℃,石墨基底由DC加热(衬底在石墨基底上方),H2气泡通过温度可控的液体源将金属有机物携带到生长区域。

3、反应气氛控制:调节反应室的温度和压力等参数,以适应所需的反应条件。 化学反应:在适当的温度和压力下,反应气体发生化学反应,生成反应产物。 沉积:反应产物以固体形式沉积在基底表面,逐渐生长形成薄膜。

4、MOCVD是一种基于VPE原理的新型气相外延生长技术。

5、MOCVD工作原理如图所示。一台MOCVD生长设备可以简要地分为以下的4个部分。(1)气体操作系统:气体操作系统包括控制Ⅲ族金属有机源和V族氢化物源的气流及其混合物所用的所有的阀门、泵以及各种设备和管路。

mocvd设备是做什么的?怎么运作的

(2) 设备造价高,应用风险大,多数厂商更愿意购技术成熟的进口设备 MOCVD设备的造价昂贵,生产型MOCVD设备的售价高达1000~2000万元。

MOCVD是以_、_族元素的有机化合物和_、_族元素的氢化物为晶体生长源材料,在衬底上通过热分解反应生长各种_-_族、_-_族化合物半导体及其多元固溶体的薄层单晶材料。

MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。

MOCVD全名叫有机金属化学气象沉积设备,是在蓝宝石设备上生长GaN的薄膜的专用设备,GaN材料是化合物半导体材料的一种,它是用来做LED(发光二极管)的主要材料。

金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)与LED的关系?

1、LED芯片的外延生长通常用的方法主要有金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和液相外延(LPE)。这些方法均可在适当的衬底上生长出高质量的半导体薄膜。 MOCVD: 这是目前生产LED芯片最常用的方法。

2、总的来说,LED制作流程分为两大部分:首先在衬底上制作氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。

3、外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要用有机金属化学气相沉积方法。

4、压力制度下沉积生长在衬底上的功能复合层。MOCVD即金属有机化学气象沉积,目前外延片的生产基本都是用这种气相外延的方法。另外还有液相外延法,不过技术难度大,不易控制,不能实现工业化生产。

5、这个与LED模组的连接线的大小有关系。也要根据实际情况来定做。 (9)功率: 关于LED模组的功率一个经验公式: LED模级的功率=单个LED的功率 ⅹ LED的个数 ⅹ 1。

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作者:xinfeng335本文地址:http://www.thqiqiu.com/post/25736.html发布于 -60秒前
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